磁电阻效应实验仪产品介绍: 磁电阻是指在**磁场下材料电阻率改变的现象。1988年长期研究磁电阻现象的法国巴黎大学Albert Fert**研究组,从英国物理学家N.F.Mott提出的磁性金属电现象的模型出发,设计了一种多层薄膜结构,并在分子束外研制备的Fe/Cr多层膜中发现MR可达50%,其值远大于通常的AMR,成功地“放大”了磁电阻现象,并且在薄膜平面上磁电阻是各向同性的,人们称之为巨磁电阻(GMR)随后不断发现了多种材料**巨磁电阻效应。 本磁电阻效应实验仪包括恒流源、数字电压表、电磁铁、磁场电源、数字特斯拉计及样品等组成。用来测量材料的磁电阻,初步了解磁电阻的概念,掌握磁电阻的初步测量方法。 磁电阻效应实验仪基本原理: 材料的电阻可由欧姆定律R=V/I测量,采用四引线接法。即由恒流源接至材料两端,用数字电压表测量两端的电压降。 磁电阻效应实验仪实验设备: 本磁电阻效应实验仪主要有电磁铁、四探针样品架、数字毫特斯拉计、大功率恒流磁场电源、精密恒流电源、数字电压表等组成。 磁电阻效应实验仪参数: 精密恒流电源(三位半数字显示) 测量范围:0~10mA可调, 分 辨 率:10uA 稳 定 度:0.5% 数字电压表(四位半数字显示) 测量范围:0~20mV 分 辨 率:1uV 测量精度:1% 磁场电源(三位半数字显示) 测量范围:0~6A可调 稳 定 度:0.5%可换向 数字特斯拉计(四位半数字显示) 测量范围:0~2000mT 分 辨 率:0.1mT 测量精度:1%
名称:SKB-I光生伏特电 型号:SKB-I 名称:HKS-1磁阻尼动摩 型号:HKS-1 名称:HXJ-LZE-1磁 型号:HXJ-LZE-1 名称:HXJ-LDZS-B 型号:HXJ-LDZS-B 名称:HXJ-LJLD-I 型号:HXJ-LJLD-III 名称:HXJ-LNCE-2 型号:HXJ-LNCE-2 名称:HM-1霍尔法磁滞回 型号:HM-1 名称:BT-U201模拟静 型号:BT-U201 名称:ML-WMF-980 型号:ML-WMF-9801 名称:MLHT-648变温 型号:MLHT-648 名称:TF-CIB静态磁特 型号:TF-CIB 名称:SFDGT-1晶体光 型号:SFDGT-1